パッケージモデル

ＩＢＩＳにおけるパッケージモデルとは、ＩＣチップ（ダイ）から外部ピンに至るまでの伝送経路（ワイヤボンドやリードフレームなど）の構造によって生じる寄生成分を表したモデルで、バッファモデルとともにＩＢＩＳモデルを構成する主要な要素の一つです。これらの構造には抵抗、インダクタンス、容量といった寄生要素が存在し、信号伝送に影響を及ぼします。パッケージモデルでは、これらの電気的な寄生成分を定量的に記述することで、信号の遅延や反射、ノイズの発生といった信号劣化の度合いをシミュレーションすることが可能になっています。然しながら、近年の信号の高速化に伴い、こうした簡易モデルでは周波数依存性やピン間のクロストークを十分に表現できなくなっているため、ＩＢＩＳ　５．０からは、より高精度なパッケージモデルとして、Ｓパラメータ形式のモデル（Ｔｏｕｃｈｓｔｏｎｅフォーマット）の利用が可能になっています。